Пригласить
Отклонить
Рассмотреть позже
Отправить письмо
Ещё
 
Мне нравится
Резюме 30472089
17 января

Руководитель коллектива разработчиков / организации и проведения подготовки кадров

По договоренности
не имеет значения
не имеет значения
58 лет (5 апреля 1958), мужской, высшее образование, не женат, есть дети
Москва, Кунцевский район, м. Филевский парк
Гражданство: Россия
Работал
Общий рабочий стаж — 35 лет и 9 месяцев

август 1990 — н.в.
26 лет и 6 месяцев

Научный сотрудник, ассистент, старший преподаватель, доцент, заведующий кафедрой

Московский инженерно-физический институт, в настоящее время НИЯУ МИФИ, г. Москва.

Директор центра комп. проектирования
В составе ИПИ/CALS - центра МИФИ разработка и внедрение решений АСУ предприятий в том числе создание решений собственной ERP-, MES- системы МИФИ.
Внедрение технологий PLM, PDM, CAD/CAM/CAE в учебный процесс, машиностроительные производства, предприятия приборостроения.
Разработка изделий РЭА, измерительных систем и систем автоматизации, приборов и технологического оборудования для предприятий МСМ, Минатома (ГК "Росатом"), ВПК и др.
Разработка КД на изделия в рамках ГОЗ, в т.ч. в под контролем ПЗ. Ряд изделий и систем приняты на вооружение.
Участие в международных проектах по разработке высокотехнологичной продукции.
Проведение разработок с использованием современной электронной компонентной базы.
Участие в разработке и внедрении уникальных образцов электронной компонентной базы (специализированные микросхемы ASIC, разработка НИЯУ МИФИ, реализация в системе Europractice и на предприятиях Зеленограда).
Организация и проведение занятий по повышению квалификации и переподготовке специалистов промышленности по САПР, микропроцессорной техники и ПЛИС, проектированию изделий РЭА, организации и внедрению MES-решений. С 2002 г. в НИЯУ МИФИ подготовлено более 1200 сотрудников ФГУП "ВНИИА" и ВНИИЭФ (ГК "Росатом"), в/ч 35533, ГСКБ "Алмаз-Антей" (Сокол), Авиаавтоматика (Курск) и др.
Проведение совместных работ и мероприятий с CADENCE-центром НИЯУ МИФИ, Mentor Graphics-центром НИЯУ МИФИ и Altera-центром НИЯУ МИФИ, включая работу с представительствами указанных фирм.
Нами разработан проект по созданию проектно-внедренческого центра проектирования и прототипирования. Это улучшенный и максимально адаптированный для России вариант FabLab, культивируемый в ведущих промышленных странах с подачи Массачусетского университета (MIT).

сентябрь 1989 — август 1990
1 год

Начальник сектора

НПО "Композит" Исполкома Моссовета, г. Москва.

Подготовка предложений по созданию АСУ предприятия.
Реализация решений по автоматизации документооборота предприятия.

декабрь 1987 — сентябрь 1989
1 год и 10 месяцев

Старший инженер

КБ "Салют" МОМ СССР, г. Москва.

Разработка КД для установки на борт новых образцов бортовой аппаратуры.
Разработка методик проведения испытаний и измерений.
Участие в подготовке ЛКИ.
Работа с САПР AutoCAD.
Проведение PSpice-моделирования электронных схем и блоков аппаратуры на ПЭВМ.
Разработка аппаратуры с использованием ПЭВМ и микропроцессоров серий I8086/88.

май 1981 — ноябрь 1987
6 лет и 7 месяцев

Инженер, младший научный сотрудник

Институт медико-биологических проблем МЗ СССР, г. Москва.

Разработка методик проведения испытаний и измерений.
Разработка научной и штатной наземной и бортовой аппаратуры (РЭА).
Участие в подготовке ЛКИ изделий НПО"Энергия", КБ "Салют", ЗИХ и др.
Начало работы с САПР AutoCAD, проведение PSpice-моделирования электронных схем и блоков аппаратуры на ПЭВМ.
Разработка аппаратуры с использованием микропроцессоров серий MCS48, I8080, I8085

Ключевые навыки
САПР РЭА фирмы Cadence (OrCAD v.9.0..16.5, Allegro). Создание библиотек компонентов, разработка принципиальных схем, конструирование печатных плат, верификация изделий (включая PSpice-моделирование). Опытный пользователь.
САПР РЭА фирмы Mentor Graphics (Expedition Enterprise Flow), включая средства разработки HDL-проекта FPGA Advantage (HDL Designer, ModelSim, Precision Synthesis) и HyperLynx (предтрассировочная верификация схем и пострассировочная верификация изделий).
САПР РЭА PCAD v.3.0..4.5, 8.5, 10.x.
2D САПР: AutoCAD.
3D САПР: Autodesk Inventor, T-Flex, SolidWorks, Компас 3D - начальный уровень.
Язык VHDL - опытный пользователь; проектирование и верификация схем ПЛИС схем, включая верификацию по системе Test Bench.
Среда проектирования ПЛИС Quartus II, v.4.x..13.x.
Разработаны решения по организации "сквозного" цикла проектирования КД на изделия РЭА и блоки электроники в целом в едином информационном пространстве и с полуавтоматическим режимом передачи информации о проекте из САПР РЭА (Mentor Graphics) в 2D/3D САПР (AutoCAD, T-Flex) с последующим формированием и оформлением комплекта КД в соответствии с ЕСКД. Указанные технологии позволяют существенно снизить время выполнение работ и трудоемкость операций по разработке КД, а также и риски внесения ошибок.
Разработана уникальная методика проектирования блоков измерительных и управляющих систем, систем связи, включая устройства аналоговой обработки сигналов и аналого-цифрового сопряжения с учетом анализа нелинейных искажений и влияния собственных и внешних помех и наводок и др. искажающих факторов. Разработка ведется с преимущественным компьютерным моделированием поведения изделий РЭА, позволяющим уже на ранних стадиях разработки КД выбрать и сформировать наиболее перспективные решения. Прототипирование и макетная отработка на стадии, например эскизного проекта при этом может проводиться фактически для подтверждения расчетных результатов и характеристик. Это позволяет создавать блоки электроники с максимально достижимыми параметрами по совокупности характеристик: точность/быстродействие и минимизировать последующие операции по ЦОС, что обеспечивает возможность построения автоматизированных систем реального времени со временем реакции в субмикросекундном диапазоне с минимизацией затрат по срокам и стоимости.
Учился

по 2008

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" , г. Москва. Уровень образования: Высшее (кандидат наук). Форма обучения: Дневная/Очная.

по 1988

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" , г. Москва. Уровень образования: Высшее. Факультет: Специальный факультет. Специальность: Микропроцессорные системы. Форма обучения: Очно-заочная.

по 1981

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" , г. Москва. Уровень образования: Высшее. Факультет: Технической физики. Специальность: Физико-энергетичекие установки. Форма обучения: Дневная/Очная.
Курсы и тренинги

2013

Работа с 3D принтером Zprinter 450 и 3D сканером Artec EVA. ЗАО "ГК"Глобатэк", г. Москва

2012

Технологии производства ГК "Росатом". ФГУП ФНПЦ "ПО "Старт" им. М. В. Проценко", г. Заречный Пензенская область

Знает и умеет
Английский язык технический
Водительские права категории B
Пригласить
Отклонить
Рассмотреть позже
Отправить письмо
 
{% dialog.title %} {% dialog.price %} 
Вакансия появится на первых страницах поиска сразу после оплаты.
Бесплатные обновления сохранятся в полном объеме, сроки размещения вакансии не изменятся.
Сразу после оплаты вам будут доступны: имя, электронная почта, телефон и другие контакты
Пожалуйста, обратите внимание: возврат денег за обновление вакансии невозможен.
Возврат денег за покупку невозможен
Внимание: возврат денег за апгрейд до турбовакансии невозможен.
Апгрейд до турбовакансии осуществляется согласно
правилам размещения вакансии.
Хочешь машину
как у соседа?
Узнай, где он работает
с помощью SuperJob!
Подробнее
№ 30472089 обновлено 17 января, 11:48
Руководитель коллектива разработчиков / организации и проведения подготовки кадров
По договоренности
Мужчина, 58 лет (5 апреля 1958)
Не женат, есть дети, гражданство Россия
Москва, Кунцевский район (м. Филевский парк)
Опыт работы 35 лет и 9 месяцев
Научный сотрудник, ассистент, старший преподаватель, доцент, заведующий кафедрой
26 лет 6 месяцев
август 1990  — н.в.
Московский инженерно-физический институт, в настоящее время НИЯУ МИФИ, Москва
Директор центра комп. проектирования
В составе ИПИ/CALS - центра МИФИ разработка и внедрение решений АСУ предприятий в том числе создание решений собственной ERP-, MES- системы МИФИ.
Внедрение технологий PLM, PDM, CAD/CAM/CAE в учебный процесс, машиностроительные производства, предприятия приборостроения.
Разработка изделий РЭА, измерительных систем и систем автоматизации, приборов и технологического оборудования для предприятий МСМ, Минатома (ГК "Росатом"), ВПК и др.
Разработка КД на изделия в рамках ГОЗ, в т.ч. в под контролем ПЗ. Ряд изделий и систем приняты на вооружение.
Участие в международных проектах по разработке высокотехнологичной продукции.
Проведение разработок с использованием современной электронной компонентной базы.
Участие в разработке и внедрении уникальных образцов электронной компонентной базы (специализированные микросхемы ASIC, разработка НИЯУ МИФИ, реализация в системе Europractice и на предприятиях Зеленограда).
Организация и проведение занятий по повышению квалификации и переподготовке специалистов промышленности по САПР, микропроцессорной техники и ПЛИС, проектированию изделий РЭА, организации и внедрению MES-решений. С 2002 г. в НИЯУ МИФИ подготовлено более 1200 сотрудников ФГУП "ВНИИА" и ВНИИЭФ (ГК "Росатом"), в/ч 35533, ГСКБ "Алмаз-Антей" (Сокол), Авиаавтоматика (Курск) и др.
Проведение совместных работ и мероприятий с CADENCE-центром НИЯУ МИФИ, Mentor Graphics-центром НИЯУ МИФИ и Altera-центром НИЯУ МИФИ, включая работу с представительствами указанных фирм.
Нами разработан проект по созданию проектно-внедренческого центра проектирования и прототипирования. Это улучшенный и максимально адаптированный для России вариант FabLab, культивируемый в ведущих промышленных странах с подачи Массачусетского университета (MIT).
Начальник сектора
1 год
сентябрь 1989  — август 1990
НПО "Композит" Исполкома Моссовета, Москва
Подготовка предложений по созданию АСУ предприятия.
Реализация решений по автоматизации документооборота предприятия.
Старший инженер
1 год 10 месяцев
декабрь 1987  — сентябрь 1989
КБ "Салют" МОМ СССР, Москва
Разработка КД для установки на борт новых образцов бортовой аппаратуры.
Разработка методик проведения испытаний и измерений.
Участие в подготовке ЛКИ.
Работа с САПР AutoCAD.
Проведение PSpice-моделирования электронных схем и блоков аппаратуры на ПЭВМ.
Разработка аппаратуры с использованием ПЭВМ и микропроцессоров серий I8086/88.
Инженер, младший научный сотрудник
6 лет 7 месяцев
май 1981  — ноябрь 1987
Институт медико-биологических проблем МЗ СССР, Москва
Разработка методик проведения испытаний и измерений.
Разработка научной и штатной наземной и бортовой аппаратуры (РЭА).
Участие в подготовке ЛКИ изделий НПО"Энергия", КБ "Салют", ЗИХ и др.
Начало работы с САПР AutoCAD, проведение PSpice-моделирования электронных схем и блоков аппаратуры на ПЭВМ.
Разработка аппаратуры с использованием микропроцессоров серий MCS48, I8080, I8085
Высшее образование
2008
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Кандидат наук
Дневная/Очная форма обучения
1988
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Специальный факультет
Очно-заочная форма обучения
Микропроцессорные системы
1981
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Технической физики
Дневная/Очная форма обучения
Физико-энергетичекие установки
Курсы
2013
ЗАО "ГК"Глобатэк"
Работа с 3D принтером Zprinter 450 и 3D сканером Artec EVA
Москва
2012
ФГУП ФНПЦ "ПО "Старт" им. М. В. Проценко"
Технологии производства ГК "Росатом"
Заречный Пензенская область
Навыки и умения
Иностранные языки
Английский (технический).
Водительское удостоверение
Категория B
Профессиональные навыки
САПР РЭА фирмы Cadence (OrCAD v.9.0..16.5, Allegro). Создание библиотек компонентов, разработка принципиальных схем, конструирование печатных плат, верификация изделий (включая PSpice-моделирование). Опытный пользователь.
САПР РЭА фирмы Mentor Graphics (Expedition Enterprise Flow), включая средства разработки HDL-проекта FPGA Advantage (HDL Designer, ModelSim, Precision Synthesis) и HyperLynx (предтрассировочная верификация схем и пострассировочная верификация изделий).
САПР РЭА PCAD v.3.0..4.5, 8.5, 10.x.
2D САПР: AutoCAD.
3D САПР: Autodesk Inventor, T-Flex, SolidWorks, Компас 3D - начальный уровень.
Язык VHDL - опытный пользователь; проектирование и верификация схем ПЛИС схем, включая верификацию по системе Test Bench.
Среда проектирования ПЛИС Quartus II, v.4.x..13.x.
Разработаны решения по организации "сквозного" цикла проектирования КД на изделия РЭА и блоки электроники в целом в едином информационном пространстве и с полуавтоматическим режимом передачи информации о проекте из САПР РЭА (Mentor Graphics) в 2D/3D САПР (AutoCAD, T-Flex) с последующим формированием и оформлением комплекта КД в соответствии с ЕСКД. Указанные технологии позволяют существенно снизить время выполнение работ и трудоемкость операций по разработке КД, а также и риски внесения ошибок.
Разработана уникальная методика проектирования блоков измерительных и управляющих систем, систем связи, включая устройства аналоговой обработки сигналов и аналого-цифрового сопряжения с учетом анализа нелинейных искажений и влияния собственных и внешних помех и наводок и др. искажающих факторов. Разработка ведется с преимущественным компьютерным моделированием поведения изделий РЭА, позволяющим уже на ранних стадиях разработки КД выбрать и сформировать наиболее перспективные решения. Прототипирование и макетная отработка на стадии, например эскизного проекта при этом может проводиться фактически для подтверждения расчетных результатов и характеристик. Это позволяет создавать блоки электроники с максимально достижимыми параметрами по совокупности характеристик: точность/быстродействие и минимизировать последующие операции по ЦОС, что обеспечивает возможность построения автоматизированных систем реального времени со временем реакции в субмикросекундном диапазоне с минимизацией затрат по срокам и стоимости.